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        000517荣安:第三代半导体芯片材料大势所趋,碳

        000517荣安:第三代半导体芯片材料大势所趋,碳化硅MOSFET 将与硅基IGBT 长期共存。相比于硅基,SiC 拥有更高的禁带宽度、电导率等优良特性,更适合应用在高功率和高频高速领域,如新能源汽车和5G 射频器件领域。特斯拉在MODEL 3上使用24个SiC MOSFET 模块作为主驱逆变器的核心部件替代IGBT,SiC MOSFET 使逆变器效率从Model S 的82%提升到Model 3的90%。除了逆变器效率提升,SiC MOSFET 使器件体积缩小到原来的1/10,承载功率是硅基器件的80倍,另外关断能力和可靠性也得到大幅提升。 新能源汽车为碳化硅材料带来巨大增量。新能源汽车为碳化硅的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC 转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等,单车用量平均为0.5片6寸碳化硅(单片切325个器件),SiC 晶片价格为7000元/片,单车碳化硅衬底价值量约3500元。根据IHS 数据,2018年和2027年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和100亿美金,复合增速约40%。 碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2027年的30亿美金,复合增速达44%。目前CREE 等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。 致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链,中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。 (1)在碳化硅长晶炉方面,公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务,依托于历史的蓝宝石业务积累,公司目前战略转型布局碳化硅业务。 (2)在碳化硅晶片方面,公司储备国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队.300154.002617.300133.300017.000517第三代半导体芯片材料大势所趋.

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